Ultrastrong Boron Frameworks in ZrB12 : A Highway for Electron Conducting

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 3 vom: 20. Jan.
1. Verfasser: Ma, Teng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Hui, Zheng, Xu, Wang, Shanmin, Wang, Xiancheng, Zhao, Huaizhou, Han, Songbai, Liu, Jian, Zhang, Ruifeng, Zhu, Pinwen, Long, Youwen, Cheng, Jinguang, Ma, Yanming, Zhao, Yusheng, Jin, Changqing, Yu, Xiaohui
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 3D boron frameworks delocalized π-bonds metallic electric resistivity
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520 |a ZrB12 , with a high symmetrical cubic structure, possesses both high hardness ≈27.0 GPa and ultralow electrical resistivity ≈18 µΩ cm at room temperature. Both the superior conductivity and hardness of ZrB12 are associated with the extended BB 3D covalent bonding network as it is not only favorable for achieving high hardness, but also provides conducting channels for transporting electrons 
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