Eliminating Negative-SET Behavior by Suppressing Nanofilament Overgrowth in Cation-Based Memory

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 48 vom: 17. Dez., Seite 10623-10629
1. Verfasser: Liu, Sen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lu, Nianduan, Zhao, Xiaolong, Xu, Hui, Banerjee, Writam, Lv, Hangbing, Long, Shibing, Li, Qingjiang, Liu, Qi, Liu, Ming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article cation-based memory graphene impenetrability nanofilaments resistive switching behavior