Ferroelectric Control of Organic/Ferromagnetic Spinterface

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 46 vom: 19. Dez., Seite 10204-10210
1. Verfasser: Liang, Shiheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Hongxin, Yang, Huaiwen, Tao, Bingshan, Djeffal, Abdelhak, Chshiev, Mairbek, Huang, Weichuan, Li, Xiaoguang, Ferri, Anthony, Desfeux, Rachel, Mangin, Stéphane, Lacour, Daniel, Hehn, Michel, Copie, Olivier, Dumesnil, Karine, Lu, Yuan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectrics magneto-resistance multiferroic tunnel junctions spinterface
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM265048559
003 DE-627
005 20231224211430.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2016 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201603638  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0883.xml 
035 |a (DE-627)NLM265048559 
035 |a (NLM)27709711 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Liang, Shiheng  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Ferroelectric Control of Organic/Ferromagnetic Spinterface 
264 1 |c 2016 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 17.07.2018 
500 |a Date Revised 01.10.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a Organic multiferroic tunnel junctions based on La0.6 Sr0.4 MnO3 /poly(vinylidene fluoride) (PVDF)/Co structures are fabricated. The tunneling magneto-resistance sign can be changed by electrically switching the ferroelectric polarization of PVDF barrier. It is demonstrated that the spin-polarization of the PVDF/Co spinterface can be actively controlled by tuning the ferroelectric polarization of PVDF. This study opens new functionality in controlling the injection of spin polarization into organic materials via the ferroelectric polarization of the barrier 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a ferroelectrics 
650 4 |a magneto-resistance 
650 4 |a multiferroic tunnel junctions 
650 4 |a spinterface 
700 1 |a Yang, Hongxin  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Huaiwen  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Tao, Bingshan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Djeffal, Abdelhak  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chshiev, Mairbek  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Huang, Weichuan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Xiaoguang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ferri, Anthony  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Desfeux, Rachel  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Mangin, Stéphane  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lacour, Daniel  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hehn, Michel  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Copie, Olivier  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Dumesnil, Karine  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lu, Yuan  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 28(2016), 46 vom: 19. Dez., Seite 10204-10210  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:28  |g year:2016  |g number:46  |g day:19  |g month:12  |g pages:10204-10210 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201603638  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 28  |j 2016  |e 46  |b 19  |c 12  |h 10204-10210