Compensated Ferrimagnetic Tetragonal Heusler Thin Films for Antiferromagnetic Spintronics

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 38 vom: 01. Okt., Seite 8499-8504
1. Verfasser: Sahoo, Roshnee (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wollmann, Lukas, Selle, Susanne, Höche, Thomas, Ernst, Benedikt, Kalache, Adel, Shekhar, Chandra, Kumar, Nitesh, Chadov, Stanislav, Felser, Claudia, Parkin, Stuart S P, Nayak, Ajaya K
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Heuslers antiferromagnetic spintronics compensated ferrimagnets exchange bias tetragonal thin films
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520 |a Fully compensated ferrimagnets with tetragonal crystal structure have the potential for large spin-polarization and strong out-of-plane magnetic anisotropy; hence, they are ideal candidates for high-density-memory applications. Tetragonal Heusler thin films with compensated magnetic state are realized by substitution of Pt in Mn3-x Ptx Ga. Furthermore, the bilayer formed from compensated/uncompensated Mn-Pt-Ga layers is utilized to accomplish exchange bias up to room temperature 
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