Harnessing Topological Band Effects in Bismuth Telluride Selenide for Large Enhancements in Thermoelectric Properties through Isovalent Doping

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 30 vom: 11. Aug., Seite 6436-41
1. Verfasser: Devender (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Gehring, Pascal, Gaul, Andrew, Hoyer, Alexander, Vaklinova, Kristina, Mehta, Rutvik J, Burghard, Marko, Borca-Tasciuc, Theodorian, Singh, David J, Kern, Klaus, Ramanath, Ganpati
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article doping high figure-of-merit thermoelectric nanomaterials topological insulators