Tellurium-Assisted Epitaxial Growth of Large-Area, Highly Crystalline ReS2 Atomic Layers on Mica Substrate

Tellurium-Assisted Epitaxial Growth of Large-Area, Highly Crystalline ReS2 Atomic Layers on Mica Substrate

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 25 vom: 28. Juli, Seite 5019-24
1. Verfasser: Cui, Fangfang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Cong, Li, Xiaobo, Wang, Gang, Liu, Kaiqiang, Yang, Zhou, Feng, Qingliang, Liang, Xing, Zhang, Zhongyue, Liu, Shengzhong, Lei, Zhibin, Liu, Zonghuai, Xu, Hua, Zhang, Jin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D anisotropic materials Re-Te binary eutectic epitaxial growth high crystal quality rhenium disulphide (ReS2)
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520 |a Anisotropic 2D layered material rhenium disulfide (ReS2 ) with high crystal quality and uniform monolayer thickness is synthesized by using tellurium-assisted epitaxial growth on mica substrate. Benefit from the lower eutectic temperature of rhenium-tellurium binary eutectic, ReS2 can grow from rhenium (melting point at 3180 °C) and sulfur precursors in the temperature range of 460-900 °C with high efficiency 
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