Low-Voltage Complementary Electronics from Ion-Gel-Gated Vertical Van der Waals Heterostructures

Low-Voltage Complementary Electronics from Ion-Gel-Gated Vertical Van der Waals Heterostructures

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 19 vom: 15. Mai, Seite 3742-8
1. Verfasser: Choi, Yongsuk (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kang, Junmo, Jariwala, Deep, Kang, Moon Sung, Marks, Tobin J, Hersam, Mark C, Cho, Jeong Ho
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Schottky barrier graphene ion gels low power transition-metal dichalcogenides vertical transistors
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520 |a Low-voltage complementary circuits comprising n-type and p-type van der Waals heterojunction vertical field-effect transistors (VFETs) are demonstrated. The resulting VFETs possess high on-state current densities (>3000 A cm(-2) ) and on/off current ratios (>10(4) ) in a narrow voltage window (<3 V) 
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