Trilayer Tunnel Selectors for Memristor Memory Cells

Trilayer Tunnel Selectors for Memristor Memory Cells

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 2 vom: 13. Jan., Seite 356-62
1. Verfasser: Choi, Byung Joon (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhang, Jiaming, Norris, Kate, Gibson, Gary, Kim, Kyung Min, Jackson, Warren, Zhang, Min-Xian Max, Li, Zhiyong, Yang, J Joshua, Williams, R Stanley
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article RRAM crested barriers memory cells memristor tunneling
Beschreibung
Zusammenfassung:© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
An integrated memory cell with a mem-ristor and a trilayer crested barrier selector, showing repeatable nonlinear current-voltage switching loops is presented. The fully atomic-layer-deposited TaN1+x /Ta2 O5 /TaN1+x crested barrier selector yields a large nonlinearity (>10(4) ), high endurance (>10(8) ), low variability, and low temperature dependence
Beschreibung:Date Completed 04.05.2016
Date Revised 26.05.2024
published: Print-Electronic
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201503604