Tuning the Tunneling Rate and Dielectric Response of SAM-Based Junctions via a Single Polarizable Atom

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 42 vom: 21. Nov., Seite 6689-95
Auteur principal: Wang, Dandan (Auteur)
Autres auteurs: Fracasso, Davide, Nurbawono, Argo, Annadata, Harshini V, Sangeeth, C S Suchand, Yuan, Li, Nijhuis, Christian A
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2015
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article EGaIn dielectric response molecular electronics self-assembled monolayers tunneling junctions