Tuning the Tunneling Rate and Dielectric Response of SAM-Based Junctions via a Single Polarizable Atom

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 42 vom: 15. Nov., Seite 6689-95
1. Verfasser: Wang, Dandan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Fracasso, Davide, Nurbawono, Argo, Annadata, Harshini V, Sangeeth, C S Suchand, Yuan, Li, Nijhuis, Christian A
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article EGaIn dielectric response molecular electronics self-assembled monolayers tunneling junctions