Ultrasensitive and Broadband MoS₂ Photodetector Driven by Ferroelectrics

Ultrasensitive and Broadband MoS₂ Photodetector Driven by Ferroelectrics

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 42 vom: 15. Nov., Seite 6575-81
1. Verfasser: Wang, Xudong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Peng, Wang, Jianlu, Hu, Weida, Zhou, Xiaohao, Guo, Nan, Huang, Hai, Sun, Shuo, Shen, Hong, Lin, Tie, Tang, Minghua, Liao, Lei, Jiang, Anquan, Sun, Jinglan, Meng, Xiangjian, Chen, Xiaoshuang, Lu, Wei, Chu, Junhao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials, MoS2 transistors ferroelectrics photodetectors photoresponsitivity
LEADER 01000caa a22002652c 4500
001 NLM252812840
003 DE-627
005 20250219035940.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2015 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201503340  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed25n0842.xml 
035 |a (DE-627)NLM252812840 
035 |a (NLM)26376198 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Wang, Xudong  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Ultrasensitive and Broadband MoS₂ Photodetector Driven by Ferroelectrics 
264 1 |c 2015 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 08.02.2016 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a A few-layer MoS2 photodetector driven by poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ferroelectrics is achieved. The detectivity and responsitivity are up to 2.2 × 10(12) Jones and 2570 A W(-1), respectively, at 635 nm with ZERO gate bias. E(g) of MoS2 is tuned by the ultrahigh electrostatic field from the ferroelectric polarization. The photoresponse wavelengths of the photodetector are extended into the near-infrared (0.85-1.55 μm) 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a 2D materials, MoS2 transistors 
650 4 |a ferroelectrics 
650 4 |a photodetectors 
650 4 |a photoresponsitivity 
700 1 |a Wang, Peng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Jianlu  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hu, Weida  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhou, Xiaohao  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Guo, Nan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Huang, Hai  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sun, Shuo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Shen, Hong  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lin, Tie  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Tang, Minghua  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liao, Lei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jiang, Anquan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sun, Jinglan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Meng, Xiangjian  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chen, Xiaoshuang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lu, Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chu, Junhao  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 27(2015), 42 vom: 15. Nov., Seite 6575-81  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnas 
773 1 8 |g volume:27  |g year:2015  |g number:42  |g day:15  |g month:11  |g pages:6575-81 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201503340  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 27  |j 2015  |e 42  |b 15  |c 11  |h 6575-81