Nanometer-Thick Single-Crystal Hexagonal Gd2 O3 on GaN for Advanced Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology

Copyright © 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 21(2009), 48 vom: 28. Dez., Seite 4970-4974
1. Verfasser: Chang, Wen Hsin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Chih Hsun, Chang, Yao Chung, Chang, Pen, Huang, Mao Lin, Lee, Yi Jun, Hsu, Chia-Hung, Hong, J Minghuang, Tsai, Chiung Chi, Kwo, J Raynien, Hong, Minghwei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2009
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Gadolinium oxide Galliumnitrid High-dielectric-constant materials Molecular beam epitaxy Semiconductors