Structurally engineered stackable and scalable 3D titanium-oxide switching devices for high-density nanoscale memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 1 vom: 07. Jan., Seite 59-64
1. Verfasser: Lee, Daeseok (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Park, Jaesung, Park, Jaehyuk, Woo, Jiyong, Cha, Euijun, Lee, Sangheon, Moon, Kibong, Song, Jeonghwan, Koo, Yunmo, Hwang, Hyunsang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 3D structure cross-point array metal-insulator transition non-volatilememory titanium oxide two-terminal switch