Atomic layer deposited gallium oxide buffer layer enables 1.2 V open-circuit voltage in cuprous oxide solar cells

Atomic layer deposited gallium oxide buffer layer enables 1.2 V open-circuit voltage in cuprous oxide solar cells

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 27 vom: 16. Juli, Seite 4704-10
1. Verfasser: Lee, Yun Seog (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chua, Danny, Brandt, Riley E, Siah, Sin Cheng, Li, Jian V, Mailoa, Jonathan P, Lee, Sang Woon, Gordon, Roy G, Buonassisi, Tonio
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. charge transport electro-optical materials photovoltaic devices solar cells thin films Buffers gallium oxide mehr... 46F059V66A Copper 789U1901C5 Gallium CH46OC8YV4 cuprous oxide T8BEA5064F
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