Highly stable carbon nanotube top-gate transistors with tunable threshold voltage

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 26 vom: 09. Juli, Seite 4588-93
1. Verfasser: Wang, Huiliang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Cobb, Brian, van Breemen, Albert, Gelinck, Gerwin, Bao, Zhenan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. carbon nanotubes stable thin film transistors threshold voltage