Boost up mobility of solution-processed metal oxide thin-film transistors via confining structure on electron pathways

Boost up mobility of solution-processed metal oxide thin-film transistors via confining structure on electron pathways

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 25 vom: 02. Juli, Seite 4273-8
1. Verfasser: Rim, You Seung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Huajun, Kou, Xiaolu, Duan, Hsin-Sheng, Zhou, Huanping, Cai, Min, Kim, Hyun Jae, Yang, Yang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. oxide semiconductor solution-process structural properties thin-film transistor
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM237440415
003 DE-627
005 20231224111648.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2014 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201400529  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0791.xml 
035 |a (DE-627)NLM237440415 
035 |a (NLM)24740439 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Rim, You Seung  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Boost up mobility of solution-processed metal oxide thin-film transistors via confining structure on electron pathways 
264 1 |c 2014 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 17.04.2015 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 4 |a Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 
650 4 |a oxide semiconductor 
650 4 |a solution-process 
650 4 |a structural properties 
650 4 |a thin-film transistor 
700 1 |a Chen, Huajun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Kou, Xiaolu  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Duan, Hsin-Sheng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhou, Huanping  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Cai, Min  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Kim, Hyun Jae  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Yang  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 26(2014), 25 vom: 02. Juli, Seite 4273-8  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:26  |g year:2014  |g number:25  |g day:02  |g month:07  |g pages:4273-8 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201400529  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 26  |j 2014  |e 25  |b 02  |c 07  |h 4273-8