Electronic properties of isosymmetric phase boundaries in highly strained Ca-Doped BiFeO₃

Electronic properties of isosymmetric phase boundaries in highly strained Ca-Doped BiFeO₃

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 25 vom: 02. Juli, Seite 4376-80
1. Verfasser: Seidel, Jan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Trassin, Morgan, Zhang, Yi, Maksymovych, Peter, Uhlig, Tino, Milde, Peter, Köhler, Denny, Baddorf, Arthur P, Kalinin, Sergei V, Eng, Lukas M, Pan, Xiaoqing, Ramesh, Ramamoorthy
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. complex oxides electronic properties interfaces nanotechnology phase boundaries
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 17.04.2015
Date Revised 30.09.2020
published: Print-Electronic
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201400557