2-dimensional transition metal dichalcogenides with tunable direct band gaps : MoS₂(₁-x) Se₂x monolayers

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 9 vom: 05. März, Seite 1399-404
Auteur principal: Mann, John (Auteur)
Autres auteurs: Ma, Quan, Odenthal, Patrick M, Isarraraz, Miguel, Le, Duy, Preciado, Edwin, Barroso, David, Yamaguchi, Koichi, von Son Palacio, Gretel, Nguyen, Andrew, Tran, Tai, Wurch, Michelle, Nguyen, Ariana, Klee, Velveth, Bobek, Sarah, Sun, Dezheng, Heinz, Tony F, Rahman, Talat S, Kawakami, Roland, Bartels, Ludwig
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2014
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. CVD alloys atomically thin films bandgap engineering molybdenum diselenide molybdenum disulfide transition metal dichalcogenides
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