Van der Waals epitaxial double heterostructure : InAs/single-layer graphene/InAs

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 47 vom: 17. Dez., Seite 6847-53
1. Verfasser: Hong, Young Joon (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Jae Won, Lee, Wi Hyoung, Ruoff, Rodney S, Kim, Kwang S, Fukui, Takashi
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't double heterostructures graphene indium arsenide metal-organic vapor-phase epitaxy van der Waals epitaxy Arsenicals Indium 045A6V3VFX mehr... Graphite 7782-42-5 J1A23S0911