A light incident angle switchable ZnO nanorod memristor reversible switching behavior between two non-volatile memory devices

A light incident angle switchable ZnO nanorod memristor : reversible switching behavior between two non-volatile memory devices

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 44 vom: 26. Nov., Seite 6423-9
1. Verfasser: Park, Jinjoo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Seunghyup, Lee, Junghan, Yong, Kijung
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't ZnO nanorod incident angle light memristive switching superhydrophobicity
Online verfügbar Volltext