The memristive properties of a single VO2 nanowire with switching controlled by self-heating

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 36 vom: 25. Sept., Seite 5098-103
1. Verfasser: Bae, Sung-Hwan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Sangmin, Koo, Hyun, Lin, Long, Jo, Bong Hyun, Park, Chan, Wang, Zhong Lin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't memristor metal-to-insulator transition non-volatile memory device resistive switching device vanadium dioxide nanowire