High-performance ZnO transistors processed via an aqueous carbon-free metal oxide precursor route at temperatures between 80-180 °C

High-performance ZnO transistors processed via an aqueous carbon-free metal oxide precursor route at temperatures between 80-180 °C

Copyright © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 31 vom: 21. Aug., Seite 4340-6
1. Verfasser: Lin, Yen-Hung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Faber, Hendrik, Zhao, Kui, Wang, Qingxiao, Amassian, Aram, McLachlan, Martyn, Anthopoulos, Thomas D
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't UV conversion plastic electronics solution processing thin film transistors transparent electronics zinc oxide
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