Nano-Newton transverse force sensor using a vertical GaN nanowire based on the piezotronic effect

Nano-Newton transverse force sensor using a vertical GaN nanowire based on the piezotronic effect

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 6 vom: 13. Feb., Seite 883-8
1. Verfasser: Zhou, Yu Sheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hinchet, Ronan, Yang, Ya, Ardila, Gustavo, Songmuang, Rudeesun, Zhang, Fang, Zhang, Yan, Han, Weihua, Pradel, Ken, Montès, Laurent, Mouis, Mireille, Wang, Zhong Lin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Silver 3M4G523W1G Gallium CH46OC8YV4 gallium nitrate VRA0C6810N Silicon Z4152N8IUI
LEADER 01000caa a22002652 4500
001 NLM222714379
003 DE-627
005 20250214155103.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2013 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201203263  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed25n0742.xml 
035 |a (DE-627)NLM222714379 
035 |a (NLM)23161658 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Zhou, Yu Sheng  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Nano-Newton transverse force sensor using a vertical GaN nanowire based on the piezotronic effect 
264 1 |c 2013 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 20.08.2013 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 4 |a Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 
650 7 |a Silver  |2 NLM 
650 7 |a 3M4G523W1G  |2 NLM 
650 7 |a Gallium  |2 NLM 
650 7 |a CH46OC8YV4  |2 NLM 
650 7 |a gallium nitrate  |2 NLM 
650 7 |a VRA0C6810N  |2 NLM 
650 7 |a Silicon  |2 NLM 
650 7 |a Z4152N8IUI  |2 NLM 
700 1 |a Hinchet, Ronan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Ya  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ardila, Gustavo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Songmuang, Rudeesun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Fang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Yan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Han, Weihua  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Pradel, Ken  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Montès, Laurent  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Mouis, Mireille  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Zhong Lin  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 25(2013), 6 vom: 13. Feb., Seite 883-8  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:25  |g year:2013  |g number:6  |g day:13  |g month:02  |g pages:883-8 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201203263  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 25  |j 2013  |e 6  |b 13  |c 02  |h 883-8