Tailoring of molecular planarity to reduce charge injection barrier for high-performance small-molecule-based ternary memory device with low threshold voltage

Tailoring of molecular planarity to reduce charge injection barrier for high-performance small-molecule-based ternary memory device with low threshold voltage

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 46 vom: 04. Dez., Seite 6210-5
1. Verfasser: Miao, Shifeng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Hua, Xu, Qingfeng, Li, Youyong, Ji, Shunjun, Li, Najun, Wang, Lihua, Zheng, Junwei, Lu, Jianmei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Azo Compounds Ketones Tin Compounds indium tin oxide 71243-84-0
Online verfügbar Volltext