High-hole-mobility field-effect transistors based on co-benzobisthiadiazole-quaterthiophene

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 46 vom: 04. Dez., Seite 6164-8
1. Verfasser: Fan, Jian (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yuen, Jonathan D, Cui, Weibin, Seifter, Jason, Mohebbi, Ali Reza, Wang, Mingfeng, Zhou, Huiqiong, Heeger, Alan, Wudl, Fred
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Polymers Thiadiazoles Thiophenes