Achieving high field-effect mobility in amorphous indium-gallium-zinc oxide by capping a strong reduction layer

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 26 vom: 10. Juli, Seite 3509-14
1. Verfasser: Zan, Hsiao-Wen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yeh, Chun-Cheng, Meng, Hsin-Fei, Tsai, Chuang-Chuang, Chen, Liang-Hao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Indium 045A6V3VFX Gallium CH46OC8YV4 Zinc Oxide SOI2LOH54Z