Study of radiation damage induced by 12 keV X-rays in MOS structures built on high-resistivity n-type silicon
Imaging experiments at the European X-ray Free Electron Laser (XFEL) require silicon pixel sensors with extraordinary performance specifications: doses of up to 1 GGy of 12 keV photons, up to 10(5) 12 keV photons per 200 µm × 200 µm pixel arriving within less than 100 fs, and a time interval between...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 19(2012), Pt 3 vom: 29. Mai, Seite 340-6
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| 1. Verfasser: |
Zhang, Jiaguo
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Pintilie, Ioana,
Fretwurst, Eckhart,
Klanner, Robert,
Perrey, Hanno,
Schwandt, Joern |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2012
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Journal of synchrotron radiation
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| Schlagworte: | Journal Article
Research Support, Non-U.S. Gov't |
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