Wet chemical functionalization of III-V semiconductor surfaces : alkylation of gallium arsenide and gallium nitride by a Grignard reaction sequence

Crystalline gallium arsenide (GaAs) (111)A and gallium nitride (GaN) (0001) surfaces have been functionalized with alkyl groups via a sequential wet chemical chlorine activation, Grignard reaction process. For GaAs(111)A, etching in HCl in diethyl ether effected both oxide removal and surface-bound...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 28(2012), 10 vom: 13. März, Seite 4672-82
1. Verfasser:	Peczonczyk, Sabrina L (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Mukherjee, Jhindan, Carim, Azhar I, Maldonado, Stephen
Format:	Online-Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:	Journal Article