Enhancement of ferroelectric polarization stability by interface engineering

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 9 vom: 02. März, Seite 1209-16
1. Verfasser: Lu, H (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, X, Burton, J D, Bark, C-W, Wang, Y, Zhang, Y, Kim, D J, Stamm, A, Lukashev, P, Felker, D A, Folkman, C M, Gao, P, Rzchowski, M S, Pan, X Q, Eom, C-B, Tsymbal, E Y, Gruverman, A
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Barium Compounds Oxides Ruthenium Compounds ruthenium dioxide 12036-10-1 Barium 24GP945V5T barium oxide mehr... 77603K202B Strontium YZS2RPE8LE
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM214880354
003 DE-627
005 20231224024430.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2012 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201104398  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0716.xml 
035 |a (DE-627)NLM214880354 
035 |a (NLM)22278910 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Lu, H  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Enhancement of ferroelectric polarization stability by interface engineering 
264 1 |c 2012 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 12.06.2012 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status MEDLINE 
520 |a Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a By using theoretical predictions based on first-principle calculations, we explore an interface engineering approach to stabilize polarization states in ferroelectric heterostructures with a thickness of just several nanometers 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 
650 7 |a Barium Compounds  |2 NLM 
650 7 |a Oxides  |2 NLM 
650 7 |a Ruthenium Compounds  |2 NLM 
650 7 |a ruthenium dioxide  |2 NLM 
650 7 |a 12036-10-1  |2 NLM 
650 7 |a Barium  |2 NLM 
650 7 |a 24GP945V5T  |2 NLM 
650 7 |a barium oxide  |2 NLM 
650 7 |a 77603K202B  |2 NLM 
650 7 |a Strontium  |2 NLM 
650 7 |a YZS2RPE8LE  |2 NLM 
700 1 |a Liu, X  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Burton, J D  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Bark, C-W  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Y  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Y  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Kim, D J  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Stamm, A  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lukashev, P  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Felker, D A  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Folkman, C M  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Gao, P  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Rzchowski, M S  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Pan, X Q  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Eom, C-B  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Tsymbal, E Y  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Gruverman, A  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 24(2012), 9 vom: 02. März, Seite 1209-16  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:24  |g year:2012  |g number:9  |g day:02  |g month:03  |g pages:1209-16 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201104398  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 24  |j 2012  |e 9  |b 02  |c 03  |h 1209-16