Solution-processable septithiophene monolayer transistor

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 7 vom: 14. Feb., Seite 973-8
1. Verfasser: Defaux, Matthieu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Gholamrezaie, Fatemeh, Wang, Jingbo, Kreyes, Andreas, Ziener, Ulrich, Anokhin, Denis V, Ivanov, Dimitri A, Moser, Armin, Neuhold, Alfred, Salzmann, Ingo, Resel, Roland, de Leeuw, Dago M, Meskers, Stefan C J, Moeller, Martin, Mourran, Ahmed
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Solutions Thiophenes
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM214690334
003 DE-627
005 20231224024050.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2012 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201103522  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0715.xml 
035 |a (DE-627)NLM214690334 
035 |a (NLM)22259023 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Defaux, Matthieu  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Solution-processable septithiophene monolayer transistor 
264 1 |c 2012 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 25.05.2012 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status MEDLINE 
520 |a Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a Septithiophene with endgroups designed to form liquid crystalline phases and allows controlled deposition of an electrically connected monolayer. Field effect mobilies mobilities of charge carriers and spectroscopic properties of the monolayer provide evidence of sustainable transport and delocalization of the excitation through intermolecular interactions within the layer 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 7 |a Solutions  |2 NLM 
650 7 |a Thiophenes  |2 NLM 
700 1 |a Gholamrezaie, Fatemeh  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Jingbo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Kreyes, Andreas  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ziener, Ulrich  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Anokhin, Denis V  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ivanov, Dimitri A  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Moser, Armin  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Neuhold, Alfred  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Salzmann, Ingo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Resel, Roland  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a de Leeuw, Dago M  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Meskers, Stefan C J  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Moeller, Martin  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Mourran, Ahmed  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 24(2012), 7 vom: 14. Feb., Seite 973-8  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:24  |g year:2012  |g number:7  |g day:14  |g month:02  |g pages:973-8 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201103522  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 24  |j 2012  |e 7  |b 14  |c 02  |h 973-8