Multilevel data storage memory using deterministic polarization control

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 3 vom: 17. Jan., Seite 402-6
1. Verfasser: Lee, Daesu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Sang Mo, Kim, Tae Heon, Jeon, Byung Chul, Kim, Yong Su, Yoon, Jong-Gul, Lee, Ho Nyung, Baek, Seung Hyup, Eom, Chang Beom, Noh, Tae Won
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. ferroelectric random access memory ferroelectrics multilevel systems non-volatile memory