Tungsten oxide as a gate dielectric for highly transparent and temperature-stable zinc-oxide-based thin-film transistors

Tungsten oxide as a gate dielectric for highly transparent and temperature-stable zinc-oxide-based thin-film transistors

Copyright © 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 45 vom: 01. Dez., Seite 5383-6
1. Verfasser: Lorenz, Michael (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Oxides tungsten oxide 940E10M08M Zinc Oxide SOI2LOH54Z Tungsten V9306CXO6G
Online verfügbar Volltext