Effective mobility enhancement by using nanometer dot doping in amorphous IGZO thin-film transistors

Effective mobility enhancement by using nanometer dot doping in amorphous IGZO thin-film transistors

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 37 vom: 04. Okt., Seite 4237-42
1. Verfasser: Zan, Hsiao-Wen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tsai, Wu-Wei, Chen, Chia-Hsin, Tsai, Chuang-Chuang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Oxides Polystyrenes Zinc Compounds Indium 045A6V3VFX Gallium CH46OC8YV4
Online verfügbar Volltext