Gate-tunable surface processes on a single-nanowire field-effect transistor

Gate-tunable surface processes on a single-nanowire field-effect transistor

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 20 vom: 24. Mai, Seite 2306-12
1. Verfasser: Mubeen, Syed (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Moskovits, Martin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Tin Compounds Palladium 5TWQ1V240M stannic oxide KM7N50LOS6
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 16.09.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print-Electronic
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201004203