Fabrication of site-controlled quantum dots by spatially selective incorporation of hydrogen in Ga(AsN)/GaAs heterostructures

Fabrication of site-controlled quantum dots by spatially selective incorporation of hydrogen in Ga(AsN)/GaAs heterostructures

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 24 vom: 24. Juni, Seite 2706-10
1. Verfasser: Trotta, Rinaldo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Polimeni, Antonio, Martelli, Faustino, Pettinari, Giorgio, Capizzi, Mario, Felisari, Laura, Rubini, Silvia, Francardi, Marco, Gerardino, Annamaria, Christianen, Peter C M, Maan, Jan C
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Arsenicals gallium arsenide 27FC46GA44 Hydrogen 7YNJ3PO35Z Gallium CH46OC8YV4
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 14.10.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print-Electronic
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201004703