Phase-change memory in Bi₂Te₃ nanowires

Phase-change memory in Bi₂Te₃ nanowires

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 16 vom: 26. Apr., Seite 1871-5
Auteur principal: Han, Nalae (Auteur)
Autres auteurs: Kim, Sung In, Yang, Jeong-Do, Lee, Kyumin, Sohn, Hyunchul, So, Hye-Mi, Ahn, Chi Won, Yoo, Kyung-Hwa
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2011
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Silicon Compounds bismuth telluride 1818R19OHO Aluminum Oxide LMI26O6933 Tellurium NQA0O090ZJ silicon nitride plus... QHB8T06IDK Bismuth U015TT5I8H
Description
Description:Date Completed 03.08.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print-Electronic
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201004746