Phase-change memory in Bi₂Te₃ nanowires

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 16 vom: 26. Apr., Seite 1871-5
1. Verfasser: Han, Nalae (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Sung In, Yang, Jeong-Do, Lee, Kyumin, Sohn, Hyunchul, So, Hye-Mi, Ahn, Chi Won, Yoo, Kyung-Hwa
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Silicon Compounds bismuth telluride 1818R19OHO Aluminum Oxide LMI26O6933 Tellurium NQA0O090ZJ silicon nitride mehr... QHB8T06IDK Bismuth U015TT5I8H