Room-temperature fabrication of ultrathin oxide gate dielectrics for low-voltage operation of organic field-effect transistors

Room-temperature fabrication of ultrathin oxide gate dielectrics for low-voltage operation of organic field-effect transistors

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 8 vom: 22. Feb., Seite 971-4
1. Verfasser: Park, Young Min (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Daniel, Jürgen, Heeney, Martin, Salleo, Alberto
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Organic Chemicals Zirconium C6V6S92N3C zirconium oxide S38N85C5G0
Online verfügbar Volltext