Flexible fullerene field-effect transistors fabricated through solution processing

Flexible fullerene field-effect transistors fabricated through solution processing

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 21(2009), 47 vom: 18. Dez., Seite 4845-9
1. Verfasser: Sung, Chao-Feng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kekuda, Dhananjay, Chu, Li Fen, Lee, Yuh-Zheng, Chen, Fang-Chung, Wu, Meng-Chyi, Chu, Chih-Wei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2009
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article
Online verfügbar Volltext