Majority carrier type conversion with floating gates in carbon nanotube transistors

Majority carrier type conversion with floating gates in carbon nanotube transistors

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 21(2009), 47 vom: 18. Dez., Seite 4821-4
1. Verfasser: Yu, Woo Jong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kang, Bo Ram, Lee, Il Ha, Min, Yo-Sep, Lee, Young Hee
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2009
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article
Online verfügbar Volltext