Coexistence of filamentary and homogeneous resistive switching in Fe-doped SrTiO3 thin-film memristive devices

Coexistence of filamentary and homogeneous resistive switching in Fe-doped SrTiO3 thin-film memristive devices

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 43 vom: 16. Nov., Seite 4819-22
1. Verfasser: Muenstermann, Ruth (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Menke, Tobias, Dittmann, Regina, Waser, Rainer
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Membranes, Artificial Oxides Titanium D1JT611TNE Iron E1UOL152H7 strontium titanium oxide OLH4I98373 Strontium YZS2RPE8LE
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 21.03.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201001872