Fiber field-effect device via in situ channel crystallization
The in situ crystallization of the incorporated amorphous semiconductor within the multimaterial fiber device yields a large decrease in defect density and a concomitant five-order-of-magnitude decrease in resistivity of the novel metal-insulator-crystalline semiconductor structure. Using a post-dra...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 37 vom: 01. Okt., Seite 4162-6
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| 1. Verfasser: |
Danto, Sylvain
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Sorin, Fabien,
Orf, Nicholas D,
Wang, Zheng,
Speakman, Scott A,
Joannopoulos, John D,
Fink, Yoel |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2010
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
Research Support, Non-U.S. Gov't
Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
Chalcogens
Metals |
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