Single ZnO nanowire/p-type GaN heterojunctions for photovoltaic devices and UV light-emitting diodes

Single ZnO nanowire/p-type GaN heterojunctions for photovoltaic devices and UV light-emitting diodes

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 38 vom: 08. Okt., Seite 4284-7
1. Verfasser: Bie, Ya-Qing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liao, Zhi-Min, Wang, Peng-Wei, Zhou, Yang-Bo, Han, Xiao-Bing, Ye, Yu, Zhao, Qing, Wu, Xiao-Song, Dai, Lun, Xu, Jun, Sang, Li-Wen, Deng, Jun-Jing, Laurent, K, Leprince-Wang, Y, Yu, Da-Peng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Gallium CH46OC8YV4 Zinc Oxide SOI2LOH54Z gallium nitrate VRA0C6810N
LEADER 01000caa a22002652 4500
001 NLM199778485
003 DE-627
005 20250211191929.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231223s2010 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201000985  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed25n0666.xml 
035 |a (DE-627)NLM199778485 
035 |a (NLM)20652900 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Bie, Ya-Qing  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Single ZnO nanowire/p-type GaN heterojunctions for photovoltaic devices and UV light-emitting diodes 
264 1 |c 2010 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 18.01.2011 
500 |a Date Revised 30.03.2022 
500 |a published: Print 
500 |a Citation Status MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 7 |a Gallium  |2 NLM 
650 7 |a CH46OC8YV4  |2 NLM 
650 7 |a Zinc Oxide  |2 NLM 
650 7 |a SOI2LOH54Z  |2 NLM 
650 7 |a gallium nitrate  |2 NLM 
650 7 |a VRA0C6810N  |2 NLM 
700 1 |a Liao, Zhi-Min  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Peng-Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhou, Yang-Bo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Han, Xiao-Bing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ye, Yu  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhao, Qing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wu, Xiao-Song  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Dai, Lun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Xu, Jun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sang, Li-Wen  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Deng, Jun-Jing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Laurent, K  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Leprince-Wang, Y  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yu, Da-Peng  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 22(2010), 38 vom: 08. Okt., Seite 4284-7  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:22  |g year:2010  |g number:38  |g day:08  |g month:10  |g pages:4284-7 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201000985  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 22  |j 2010  |e 38  |b 08  |c 10  |h 4284-7