The semiconductor industry will soon be launching 32 nm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology node using 193 nm lithography patterning technology to fabricate microprocessors with more than 2 billion transistors. To ensure the survival of Moore's law, alternative patterning...
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 6 vom: 09. Feb., Seite 769-78
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| 1. Verfasser: |
Galatsis, Kosmas
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Wang, Kang L,
Ozkan, Mihri,
Ozkan, Cengiz S,
Huang, Yu,
Chang, Jane P,
Monbouquette, Harold G,
Chen, Yong,
Nealey, Paul,
Botros, Youssry |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2010
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | News
Research Support, Non-U.S. Gov't
DNA
9007-49-2 |
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