Surface and interface processes during atomic layer deposition of copper on silicon oxide
The initial surface chemistry and growth mechanisms of the atomic layer deposition (ALD) of metallic copper on SiO(2) surfaces are investigated using an amidinate precursor (copper(I) di-sec-butylacetamidinate, [Cu((s)Bu-amd)](2)) and molecular hydrogen. Using in situ Fourier transform infrared spec...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 26(2010), 6 vom: 16. März, Seite 3911-7
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| 1. Verfasser: |
Dai, Min
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Kwon, Jinhee,
Halls, Mathew D,
Gordon, Roy G,
Chabal, Yves J |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2010
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
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| Schlagworte: | Journal Article |
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