Dimensional crossover and weak localization in a 90 nm n-GaAs thin film

We report on the magnetotransport in a 90 nm thick n-type GaAs epitaxial thin film in the weak localization (WL) regime. Low temperature (T</=50 K) magnetotransport data are fit with WL theory, from which the phase coherence time, tau(varphi) proportional, variantT(-p) (p=1.22+/-0.01), are extrac...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters. - 1998. - 95(2009), 1 vom: 06. Juli, Seite 12113
1. Verfasser:	Gilbertson, A M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Newaz, A K M, Chang, Woo-Jin, Bashir, R, Solin, S A, Cohen, L F
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2009
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Applied physics letters
Schlagworte:	Journal Article