Extraordinary electroconductance in metal-semiconductor hybrid structures

We report the phenomenon of extraordinary electroconductance in microscopic metal-semiconductor hybrid structures fabricated from GaAs epitaxial layer and a Ti thin film shunt. Four-lead Van der Pauw structures show a gain of 5.2% in electroconductance under +2.5 kVcm with zero shunt bias. The incre...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters. - 1998. - 92(2008), 26 vom: 30. Juni, Seite 262106
1. Verfasser:	Wang, Yun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Newaz, A K M, Wu, Jian, Solin, S A, Kavasseri, V R, Jin, N, Ahmed, I S, Adesida, I
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2008
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Applied physics letters
Schlagworte:	Journal Article