Integrated ferroelectric stacked MIM capacitors with 100 nF/mm(2) and 90 V breakdown as replacement for discretes
This paper shows for the first time integrated thin film ferroelectric metal-insulator-metal capacitors on silicon with a record high capacitance density above 100 nF/mm(2) combined with a breakdown voltage of 90 V and a lifetime exceeding 10 years at 85 degrees C and 5 V. The high capacitance densi...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. - 1986. - 56(2009), 3 vom: 01. März, Seite 425-8
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| 1. Verfasser: |
Roest, Aarnoud
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Mauczok, Rüdiger,
Reimann, Klaus,
van Leuken-Peters, Linda,
Klee, Mareike |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2009
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control
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| Schlagworte: | Journal Article |
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