Electrochemical aspects and structure characterization of VA-VIA compound semiconductor Bi2Te3/Sb2Te3 superlattice thin films via electrochemical atomic layer epitaxy
This paper concerns the electrochemical atom-by-atom growth of VA-VIA compound semiconductor thin film superlattice structures using electrochemical atomic layer epitaxy. The combination of the Bi2Te3 and Sb2Te3 programs and Bi2Te3/Sb2Te3 thin film superlattice with 18 periods, where each period inv...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 24(2008), 11 vom: 03. Juni, Seite 5919-24
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| 1. Verfasser: |
Zhu, Wen
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Yang, Jun-You,
Zhou, Dong-Xiang,
Xiao, Chen-Jin,
Duan, Xin-Kai |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2008
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
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| Schlagworte: | Journal Article
Research Support, Non-U.S. Gov't
Membranes, Artificial |
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