CdTe electrodeposition on InP(100) via electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) : studies using UHV-EC
The II-VI compound semiconductor CdTe was electrodeposited on InP(100) surfaces using electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE). CdTe was deposited on a Te-modified InP(100) surface using this atomic layer by atomic layer methodology. The deposit started with formation of an atomic layer of Te o...
| Veröffentlicht in: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 22(2006), 12 vom: 06. Juni, Seite 5504-8 |
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| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2006
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids |
| Schlagworte: | Journal Article |